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IGBT作為電力電子器件的中央處理器，在電力電子變換器和控制中起著關鍵性的作用。尤其是在變頻器（以下簡稱VFD）中，IGBT模塊更為重要，但它卻是VFD損壞較為頻繁的元件之一。其中大部分的原因是在工控生產中，由于某些因素會有巨大的損失，熱量無法散發，導致內部溫度極高，產生氣體并突破外殼，這就是所謂的IGBT爆炸。
IGBT爆炸原因分析[VFD配套設備]
1.爆炸的本質是加熱功率超過冷卻功率，內部原因應該是過熱。
2.人為因素:
(1)進線連接到出線端子
(2)連接錯誤的電源
(3)未按要求連接負載
3.常見原因:
(1)過流:一是負載短路，二是控制電路處邏輯干擾，導致上下橋臂組件直接連接。
(2)絕緣損壞
(3)過電壓:通常由線路雜散電感在極高di/dt作用下產生的峰值電壓引起。解決方案是設計一個高性能的吸收環路，以降低線路的雜散電感。
(4)過熱:IGBT不能完全打開，有電流時元器件損耗增加，溫度升高，造成損壞。
(5)溝通錯誤率a.溝通一段時間后，突然出現錯誤信息導致IGBT誤導、IGBT爆炸；b.通信板FPGA程序運行不穩定導致IGBT誤導和IGBT爆炸
4.其他原因:
(1)電路中過流檢測電路的響應時間跟不上。
(2)IGBT短路保護是檢測飽和壓降，留給執行器的時間一般為10us(8倍過流)。上電時很容易燒壞制動單元中的預充電電阻和IGBT。
(3)工藝問題:銅排緊固不牢，螺絲未擰緊。
(4)短時大電流:原因很多，比如死區設置不好，主電路過壓，吸收電路做得不好。
(5)驅動電源也是一個需要特別注意的問題，即隔離加隔離，濾波加濾波。
(6)電機脈沖反饋電壓過大導致IGBT爆炸。但是充電時爆炸的概率不大。
(7)電機啟動時，輸入電壓瞬間下降，電容放電。輸入電壓恢復后，電容充電時浪涌電流過大，引起IGBT爆炸。
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