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變頻器逆變模塊損壞故障的處理方案
發布時間:2024-10-14 17:11:00   來源:杭州三科變頻技術有限公司   人氣值:

變頻器Variable-frequency Drive,VFD)模塊機逆變控制模塊毀壞大多數是因為光耦電路毀壞導致一個橋臂上的兩個電源開關器件同一時間通斷所導致的。VFD逆變功率模塊毀壞是無論在矢量素材VFD還是環保節能VFD等別的直流變頻機器設備上普遍到的常見故障,處理這類難題僅有查到毀壞的直接原因,并最先清除再度毀壞的很有可能,才可以拆換逆變控制模塊,不然換上去的新控制模塊會再毀壞。



一、VFD故障判斷


逆變功率模塊關鍵有IGBT、IPM等,查驗外型是不是已爆開,接線端子與相接印制電路板是不是有燒損印痕。用數字萬用表查C-E、G-C、G-E是不是已通,或用數字萬用表測P對U、V、W和N對U、V、W電阻器是不是有不一致,及其各驅動器輸出功率器件操縱極對U、V、W、P、N的電阻器是不是有不一致,為此分辨是哪一輸出功率器件毀壞。


二、VFD故障成因分析


(1)設備自身品質不佳。


(2)外界負荷有比較嚴重過電流量、不平衡,電機某相繞阻對地短路故障,有一相繞阻內部短路故障,負荷機械設備卡死,兩色擊穿,輸出電纜線有短路故障或對地短路故障。


(3)負荷里接了電容器,或因走線不善對地電容器很大,使整流管有沖擊性電流量。


(4)客戶電力網工作電壓太高,或者有較強的一瞬間過電壓,導致過電壓毀壞。


(5)機內輸出功率開關管的過電壓消化吸收電源電路有毀壞,導致不可以合理消化吸收過電壓而使IGBT毀壞。


(6)耦合電容因時間久了脆化,容積降低或內部電感器增大,對母線槽的過電壓吸收力降低,導致母線槽上過電壓太高而毀壞IGBT。一切正常運作時母線槽上的過電壓是逆變電源開關器件單脈沖關閉時,母線槽控制回路的電感器儲能技術變化而成的。


(7)IGBT或IPM輸出功率器件的前面光學防護器件因擊穿造成 輸出功率器件也擊穿,或因在印制電路板防護器件位置有浮塵、濕冷導致點火擊穿,造成 IGBT、IPM毀壞。


(8)不適度的實際操作,或設計產品手機軟件中有缺陷,在影響和啟動、待機等不穩定狀況下造成左右兩輸出功率電源開關器件一瞬間另外通斷。


(9)遭雷擊、房頂漏水侵入,臟東西進到、檢查員誤碰等出現意外。


(10)經檢修拆換了濾波器電力電容器,因該電容器品質不太好,或收到電容器的線比原先長了,使電感器量提升,導致母線槽過電壓力度顯著上升。


(11)前面整流管毀壞,因為主開關電源前面進入了交流電流,導致IGBT、IPM毀壞。


(12)維修拆換功率模塊,因沒有靜電感應防護措施,在電焊焊接實際操作時毀壞了IGBT。或因維修中排熱、擰緊、絕緣層等解決不太好,造成 短時間應用而毀壞。


(13)串聯應用IGBT,在拆換時沒有考慮到型號規格、生產批號的一致性,造成 各串聯元器件電流量不勻而毀壞。


(14)VFD內部維護電源電路(過電壓、過電流量維護)的某元器件毀壞,喪失維護作用。


(15)VFD內部某組開關電源,尤其是IGBT驅動器級+、-開關電源毀壞,更改了輸出值或2組開關電源間絕緣層被擊穿。